FQD19N10LTM Transistor N-MOSFET 100V 9,8A 50W DPAK
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Transistor FQD19N10LTM DPAKFabricanteONSEMITipo de transistorN-MOSFETTecnologíaQFET®Tensión drenaje-fuente100VCorriente del drenaje9,8APoder disipado50WCarcasaDPAKMontaje SMDTensión puerta-fuente±20VResistencia en estado de transferencia0,11ΩCarga de puerta18nC
P/N: FQD19N10LTM Ean: 00FQD19N10LTM Código: 179631
- Fabricante: ON Semiconductor P/N: FQD19N10LTM Ean: 00FQD19N10LTM Código: 179631
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Transistor FQD19N10LTM DPAK
- FabricanteONSEMI
- Tipo de transistorN-MOSFET
- TecnologíaQFET®
- Tensión drenaje-fuente100V
- Corriente del drenaje9,8A
- Poder disipado50W
- CarcasaDPAK
- Montaje SMD
- Tensión puerta-fuente±20V
- Resistencia en estado de transferencia0,11Ω
- Carga de puerta18nC
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