IRF1010NS Transistor N MosFet 55V 84A 3,8W D2PACK

Transistor MOSFET Canal N IRF1010NS - 55V 84A Encapsulado D2PAK

Descripción general

El IRF1010NS Transistor MOSFET de canal N es un componente de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación eficiente y control de carga. Con una tensión máxima de 55V y una capacidad de corriente de hasta 84A , es adecuado para circuitos electrónicos que requieren alto rendimiento y fiabilidad.

Gracias a su encapsulado D2PAK (TO-263) , este MOSFET permite montaje superficial (SMD), facilitando su integración en placas de circuito modernas y optimizando la disipación térmica en aplicaciones de electrónica de potencia.

Especificaciones técnicas

Rendimiento y Potencia

• Tipo de FET: MOSFET de canal N
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V
• Corriente de drenaje continua (Id): 84A

Diseño y Montaje

• Encapsulado: D2PAK (TO-263)
• Montaje: SMD (superficie)

Solución ideal para aplicaciones de conmutación, control de potencia y sistemas electrónicos que requieren un transistor MOSFET fiable y eficiente.