IRF530NPBF Transistor N-Mosfet 100V 17Amp TO220AB
Transistor IRF530NPBF TO220ABFabricante Infineon (IRF)Tipo de transistor N-MOSFETTecnología HEXFET®Tensión drenaje-fuente 100VCorriente del drenaje 17APoder disipado 79WCarcasa TO220ABTensión puerta-fuente ±20VResistencia en estado de transferencia 90mΩCarga de puerta 24.7nC
- Fabricante: Infineon P/N: IRF530NPBF Ean: 000IRF530NPBF Código: 61513
Transistor IRF530NPBF TO220AB
- Fabricante Infineon (IRF)
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tecnología HEXFET®
- Tensión drenaje-fuente 100V
- Corriente del drenaje 17A
- Poder disipado 79W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±20V
- Resistencia en estado de transferencia 90mΩ
- Carga de puerta 24.7nC
Nota media
Positivos
Negativos






























