IXTQ22N50P Transistor N-Mosfet 500V 22A 350W TO-3P
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ESPECIFICACIONES:Transistor IXTQ22N50P TO3PFabricante IXYSTipo de transistor N-MOSFETTensión drenaje-fuente 500VCorriente del drenaje 22APoder disipado 350WCarcasa TO3PResistencia en estado de transferencia 270mΩCarga de puerta 50nCStandard power mosfetTiempo de disponibilidad 400ns
P/N: IXTQ22N50P Ean: 000IXTQ22N50P Código: 63009
- Fabricante: Ixys P/N: IXTQ22N50P Ean: 000IXTQ22N50P Código: 63009
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ESPECIFICACIONES:
- Transistor IXTQ22N50P TO3P
- Fabricante IXYS
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tensión drenaje-fuente 500V
- Corriente del drenaje 22A
- Poder disipado 350W
- Carcasa TO3P
- Resistencia en estado de transferencia 270mΩ
- Carga de puerta 50nC
- Standard power mosfet
- Tiempo de disponibilidad 400ns
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