Transistor IGBT 600V 30A 170W TO3PN GT30J121Q
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Transistor GT30J121Q TO3PNFabricanteTOSHIBATipo de transistorIGBTTensión colector-emisor600VCorriente de colector30APoder disipado170WCarcasaTO3PNTensión entrada - emisor±20VCorriente de colector en impulso60A tiempo de conexión240nsTiempo de desconexión430ns
P/N: GT30J121Q Ean: 0000GT30J121Q Código: 198528
- Fabricante: Toshiba P/N: GT30J121Q Ean: 0000GT30J121Q Código: 198528
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Transistor GT30J121Q TO3PN
- FabricanteTOSHIBA
- Tipo de transistorIGBT
- Tensión colector-emisor600V
- Corriente de colector30A
- Poder disipado170W
- CarcasaTO3PN
- Tensión entrada - emisor±20V
- Corriente de colector en impulso60A
- tiempo de conexión240ns
- Tiempo de desconexión430ns
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