Transistor MosFet 100V 360A 830W SOT227B Atornillado IXFN360N10T
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Transistor IXFN360N10T SOT227BFabricanteIXYSTipo de módulotransistor MOSFET Tensión drenaje-fuente100VCorriente del drenaje360ACarcasaSOT227BMontaje eléctricoatornillado Resistencia en estado de transferencia2,6mΩCorriente del drenaje en impulso900APoder disipado830WTecnologíaGigaMOS™, HiPerFET™Montaje mecánico Atornillado
P/N: IXFN360N10T Ean: 00IXFN360N10T Código: 244042
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Transistor IXFN360N10T SOT227B
- FabricanteIXYS
- Tipo de módulotransistor MOSFET
- Tensión drenaje-fuente100V
- Corriente del drenaje360A
- CarcasaSOT227B
- Montaje eléctricoatornillado
- Resistencia en estado de transferencia2,6mΩ
- Corriente del drenaje en impulso900A
- Poder disipado830W
- TecnologíaGigaMOS™, HiPerFET™
- Montaje mecánico Atornillado
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