Transistor MosFet 100V 57A 200W TO220 IRF3710PBF
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Transistor IRF3710PBF TO220ABFabricante INFINEON TECHNOLOGIESTipo de transistor N-MOSFETTecnología HEXFET®Tensión drenaje-fuente 100VCorriente del drenaje 57APoder disipado 200WCarcasa TO220ABTensión puerta-fuente ±20VResistencia en estado de transferencia 23mΩCarga de puerta 86.7nC
P/N: IRF3710 Ean: 000000IRF3710 Código: 61505
- Fabricante: Infineon P/N: IRF3710 Ean: 000000IRF3710 Código: 61505
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Transistor IRF3710PBF TO220AB
- Fabricante INFINEON TECHNOLOGIES
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tecnología HEXFET®
- Tensión drenaje-fuente 100V
- Corriente del drenaje 57A
- Poder disipado 200W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±20V
- Resistencia en estado de transferencia 23mΩ
- Carga de puerta 86.7nC
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