Transistor N-Mosfet 100V 60A 176W TO220AB IXTP60N10T
ESPECIFICACIONES:Transistor IXTP60N10TFabricante IXYSTipo de transistor N-MOSFETTensión drenaje-fuente 100VCorriente del drenaje 60APoder disipado 176WCarcasa TO220ABResistencia en estado de transferencia 18mΩCarga de puerta 49nCTiempo de disponibilidad 59ns
- Fabricante: Ixys P/N: IXTP60N10T Ean: 000IXTP60N10T Código: 61873
ESPECIFICACIONES:
- Transistor IXTP60N10T
- Fabricante IXYS
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tensión drenaje-fuente 100V
- Corriente del drenaje 60A
- Poder disipado 176W
- Carcasa TO220AB
- Resistencia en estado de transferencia 18mΩ
- Carga de puerta 49nC
- Tiempo de disponibilidad 59ns
Nota media
Positivos
Negativos






























