Transistor N-Mosfet 200V, 65A, 190W TO220AB IRFB4227PBF
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Transistor IRFB4227PBF TO220ABFabricante Infineon (IRF)Tipo de transistor N-MOSFETTecnología HEXFET®Polarización unipolarTensión drenaje-fuente 200VCorriente del drenaje 65APoder disipado 190WCarcasa TO220ABTensión puerta-fuente ±30VResistencia en estado de transferencia 26mΩMontaje THTCarga de puerta...
P/N: IRFB4227PBF Ean: 00IRFB4227PBF Código: 63074
- Fabricante: Infineon P/N: IRFB4227PBF Ean: 00IRFB4227PBF Código: 63074
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Transistor IRFB4227PBF TO220AB
- Fabricante Infineon (IRF)
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tecnología HEXFET®
- Polarización unipolar
- Tensión drenaje-fuente 200V
- Corriente del drenaje 65A
- Poder disipado 190W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±30V
- Resistencia en estado de transferencia 26mΩ
- Montaje THT
- Carga de puerta 70nC
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