Transistor N-MosFet 500V 26A 400W TO3P IXTQ26N50P
Transistor IXTQ26N50P TO3PFabricante IXYSTipo de transistor N-MOSFETTensión drenaje-fuente 500VCorriente del drenaje 26APoder disipado 400WCarcasa TO3PResistencia en estado de transferencia 230mΩCarga de puerta 65nCClase de canal enriquecidoPower mosfetTiempo de...
- Fabricante: Ixys P/N: IXTQ26N50P Ean: 000IXTQ26N50P Código: 63109
Transistor IXTQ26N50P TO3P
- Fabricante IXYS
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tensión drenaje-fuente 500V
- Corriente del drenaje 26A
- Poder disipado 400W
- Carcasa TO3P
- Resistencia en estado de transferencia 230mΩ
- Carga de puerta 65nC
- Clase de canal enriquecido
- Power mosfet
- Tiempo de disponibilidad 300ns
Nota media
Positivos
Negativos






























