Transistor N-MosFet 60V 81A 170W TO220AB IRF1010EPBF
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Transistor IRF1010E TO220ABFabricante Infineon (IRF)Tipo de transistor N-MOSFETTensión drenaje-fuente 60VCorriente del drenaje 81APoder disipado 170WCarcasa TO220ABTensión puerta-fuente ±20VResistencia en estado de transferencia 12mΩCarga de puerta 86.6nC
P/N: IRF1010E Código: 316876
- Fabricante: Infineon P/N: IRF1010E Ean: Código: 316876
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Transistor IRF1010E TO220AB
- Fabricante Infineon (IRF)
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tensión drenaje-fuente 60V
- Corriente del drenaje 81A
- Poder disipado 170W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±20V
- Resistencia en estado de transferencia 12mΩ
- Carga de puerta 86.6nC
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