Transistor N-MostFet 500V 18A 235W TO220AB FDP18N50
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:Fabricante ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)Tipo de transistor N-MOSFETTecnología UniFET™Polarización unipolarTensión drenaje-fuente 500VCorriente del drenaje 10.8APoder disipado 235WCarcasa TO220ABTensión puerta-fuente ±30VResistencia en estado de transferencia 265mΩMontaje THT
P/N: FDP18N50 Ean: 00000FDP18N50 Código: 62893
- Fabricante: OEM P/N: FDP18N50 Ean: 00000FDP18N50 Código: 62893
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tecnología UniFET™
- Polarización unipolar
- Tensión drenaje-fuente 500V
- Corriente del drenaje 10.8A
- Poder disipado 235W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±30V
- Resistencia en estado de transferencia 265mΩ
- Montaje THT
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